Invitamos a toda la comunidad a la charla: "Estudio de la Disposición Atómica de Dopantes Subsuperficiales en una Plataforma de Dispositivos Cuánticos de Silicio", a cargo del Dr. Ezequiel Tosi, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, el día martes 23 de agosto a 10.30hs en el aula 2-4-5 Block 2 de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología (Block 3, primer piso).
Las estructuras de alta densidad de dopantes subsuperficiales de P en Si son de interés como plataforma para la computación cuántica, aunque falta entender la disposición atómica del P. Voy a contar cómo se puede aprovechar la difracción de fotoelectrones por rayos X (XPD) para obtener la configuración estructural precisa de estos dopantes en las capas subsuperficiales. Por medio de esta técnica se determina la disposición de los dopantes y se demuestra además que la técnica XPD se puede utilizar para estudiar estas estructuras, permitiendo su comprensión y el modelado de sus dispositivos cuánticos derivados.
